コンピュータ構成要素
基本情報技術者試験｜半導体メモリのうち、電気的に内容を消去してブロック単位で書き換えることができ、不揮発性であるためUSBメモリやS…
半導体メモリのうち、電気的に内容を消去してブロック単位で書き換えることができ、不揮発性であるためUSBメモリやSSDの記憶素子に用いられるものはどれか。
ア製造時に内容が固定され利用者は書換えできないマスクROM
イ紫外線を照射して全内容を一括消去するEPROM
ウ電荷が漏れるため周期的なリフレッシュを要するDRAM
エ電気的に消去・再書込みが可能なフラッシュメモリ
正解
エ．電気的に消去・再書込みが可能なフラッシュメモリ
フラッシュメモリはEEPROMを発展させた不揮発性メモリで、電気的にブロック(ページ)単位で一括消去し再書込みできる。USBメモリやSSDの記憶素子に用いられ、設問の条件に一致するため正しい。
?選択肢ごとの解説
ア ×マスクROMは製造時に内容を焼き込み利用者が書き換えられない読出し専用メモリであり、書換え可能という条件を満たさない。
イ ×EPROMは紫外線を当てて内容を消去する方式で、電気的に書き換えるフラッシュメモリとは消去方法が異なる。
ウ ×DRAMは揮発性で電源切断時に内容を失い、リフレッシュも必要であるため不揮発性の補助記憶素子という説明に反する。
エ ○フラッシュメモリはEEPROMを発展させた不揮発性メモリで、電気的にブロック(ページ)単位で一括消去し再書込みできる。USBメモリやSSDの記憶素子に用いられ、設問の条件に一致するため正しい。
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作成・校閲：ukamiru編集部 · 基本情報技術者試験 過去問 · fe-a3-0160